Des chercheurs des laboratoires IPCMS (Strasbourg) et Institut Jean Lamour (Nancy) et du synchrotron SOLEIL ont réalisé une première mondiale dans l’étude des processus physiques à l’origine du fonctionnement des mémoires magnétiques à accès aléatoire (STT-MRAM), qui équiperont les ordinateurs de prochaine génération.
Ils sont parvenus à mesurer la conduction électrique d’une cellule mémoire magnétique en fonctionnement lorsque celle-ci est exposée au rayonnement synchrotron.
Cette combinaison de mesures inédite et in operando a permis, à l’échelle de la liaison Fer/Oxygène, de faire la lumière sur l’impact qu’ont les inhomogénéités de courant et les interfaces sur le transport tunnel polarisé en spin. Cet effet est mis à profit pour lire et écrire le contenu des cellules mémoires magnétiques.
Ces résultats, qui seront publiés dans la revue Advanced Materials, ouvrent de nombreuses perspectives aussi bien pour mener des études fondamentales que des études à visées plus appliquées (cellules solaires, transistors MOS, stockage de l’énergie). Les grands instruments de recherche tels que les synchrotrons pourraient ainsi permettre aux industriels de mieux comprendre le fonctionnement de leurs dispositifs et accélérer leur processus de recherche et développement.
Cette étude a été financée en partie par l’ANR SPINAPSE et la Région Grand-Est. La phase finale de mesure a été réalisée au synchrotron Soleil sur la ligne de lumière Deimos.
