Entre 1966 et 1973 : études à différentes universités allemands (Marburg, Bochum, Frankfurt, München):

1970 : « Diplomphysiker », université de Marburg,

1973 : « Dr. Phil. Nat. », université de Frankfurt / Main,

Diplômes en physique du solide théorique

1985 : « Habilité à diriger des recherches », université Louis Pasteur, Strasbourg I.

Spécialité: Optique Non linéaire, Physique théorique et expérimentale des semiconducteur

Optique non linéaire des semi-conducteurs. Spectroscopie résolu en temps des semi-conducteurs massifs ou confinés dans 1 ou 3 dimensions.

Parcours de recherche

Après ma thèse en physique du solide (1973), dans laquelle je présentais une étude théorique de l’interaction entre phonons et magnons dans des matériaux montrant une aimantation paramagnétique du type Van Vleck, j’ai accepté un poste de Maître de Conférences à l’Université de Regensburg en Allemagne. J’y ai travaillé sur les propriétés des excitons dans les semi-conducteurs soumis à une excitation optique intense. Après 1977, en tant que boursier de la « Deutsche Forschungs Gemeinschaft » et du CNRS j’ai travaillé comme théoricien sur la même problématique dans un groupe d’expérimentateurs au sein du « Laboratoire de Spectroscopie et d’Optique du Corps Solide » à Strasbourg. En 1980 et 1981 j’étais Maître de Conférences à l’Université de Essen, et en 1982, je suis entré au CNRS comme « Chargé de Recherche » avant d’être promu « Directeur de Recherche » en 1988. En 1993 j’ai postulé pour devenir professeur et je suis affecté depuis à l’UFR de Physique de l’Université Louis Pasteur, Strasbourg I.
Mon installation définitive à Strasbourg a changé mon implication dans la recherche : chargé surtout de l’étude des aspects théoriques de nos recherches avant 1982, j’ai dû acquérir également de bonnes connaissances de leurs aspects expérimentaux. Cette implication m’a beaucoup intéressée, au point de se transformer, en une participation active au travail expérimental. Dans ce contexte, je me suis consacré à l’étude de la dynamique de renormalisation de la fonction diélectrique sous forte excitation lumineuse résonante et l’optique non linéaire des sémi conducteurs en général.

Étude des processus de relaxation de spin dans des semi-conducteurs

Pour accéder aux dynamiques individuelles des spins des électrons, des trous et des excitons nous avons mis en œuvre de nouvelles techniques de mesure de type pompe-sonde non-dégénérées, en utilisant le fait que transitions entre états puissent mutuellement être permises ou interdites pour des impulsions polarisées co- ou contra circulaires. Nous avons ainsi étudié la relaxation des spins excitoniques dans les cristaux massifs de CuCl, dans des puits quantiques piézo-électriques de CdTe/CdMnTe ainsi que dans les puits quantiques de GaAs.

Caractérisation temporelle et spectrale de boîtes quantiques de CdZnTe par des études de transmission et de photoluminescence

Nous étudions par transmission et photoluminescence résolue en temps la relaxation des paires électron-trou dans des échantillons de boîtes quantiques auto-assemblées de CdZnTe riches en cadmium incluses dans un puits quantique riche en zinc. Nous trouvons trois régimes différentes : Un premier régime sub-picoseconde correspond à la relaxation des porteurs du puits quantique par émission d’une cascade de phonons qui doit être décrit par la théorie de quantum cinétique. Sur les quelques dizaines de picosecondes qui suivent nous observons le piégeage des porteurs dans les boites quantiques. Enfin, sur plusieurs centaines de picosecondes, nous mesurons la recombinaison radiative des porteurs piégés.

Gain optique des nano cristaux de silicium insérés dans une matrice sol-gel de SiO₂

Les nanostructures à base de silicium présentent un intérêt important en opto-électronique : leur luminescence se situe dans le visible alors que le gap du silicium massif est indirect et situé dans l’infrarouge. Dans le cadre de la collaboration avec l’Académie des sciences tchèque, nous avons étudié l’amplification optique des échantillons consistant en des inclusions, dans une matrice sol-gel de SiO₂, de nanocristaux de silicium. La dispersion dans une matrice transparente présente l’avantage de renforcer les propriétés de luminescence et la stabilité des nanocristaux.

(Voir pdf ci-dessous)

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