Dans le domaine de la relaxation de spin dans les semiconducteurs, il y a une grande activité depuis la publication de temps de vie de spin très longs par Kikkawa et Awschalom. Sur le plan expérimental, il a été observé que le temps de vie, qui varie avec la densité de dopants, est maximal près de la densité qui correspond à la transition métal-isolante de Mott. Ceci indique que la relaxation de spin est reliée de façon non-triviale au transport de charge. Des mécanismes dominant la relaxation de spin ont été proposés pour le régime isolant ainsi que pour le régime métallique. Cependant, près de la transition, les théories connues ne peuvent pas être appliquées.
Nous avons élaboré un modèle pour la bande des impuretés (les dopants) avec prise en compte du couplage spin-orbite. Ainsi nous obtenons un modèle de liaisons fortes avec des éléments de saut dépendants du spin. Les éléments de saut avec renversement de spin sont faibles mais non-nuls et mènent à la relaxation du spin avec un temps de vie long. L’ordre de grandeur du temps de vie ainsi estimé correspond à la valeur expérimentale.
En particulier, nous montrons que c’est le couplage spin-orbite de Dresselhaus qui domine la relaxation de spin dans une grande classe de matériaux avec structure de zincblende.
