Vers l’élaboration des Nanostructures magnétiques pour l’électronique de spin
L’utilisation du spin de l’électron dans les dispositifs est l’un des défis de la micro- nano-électronique de demain. Un grand nombre des travaux a été consacré à la réalisation de dispositifs dédiés à l’injection de spin depuis un ferromagnétique métallique vers un semi-conducteur. Les problèmes rencontrés proviennent (i) de la difficulté à réaliser des interfaces métal/semiconducteur abruptes (ii) d’obstacles plus fondamentaux liés aux désaccord des canaux de conduction du métal ferromagnétique et du semi-conducteur. Une méthode alternative consiste à utiliser des semi-conducteurs magnétiques comme les semi-conducteurs dilués de type II-VI et III-V, mais aussi des semiconducteurs tels que ZnO et GaN dopés avec Co ou Mn. Un nouveau type de nanostructures hybrides constituées de métaux ferromagnétiques séparés par des espèces organiques semiconductrices ou isolantes est à la base de la spintronique organique. Néanmoins beaucoup de travaux sont encore nécessaires pour maîtriser la croissance de ces structures artificielles, obtenir des matériaux de bonne qualité, ayant des propriétés magnétiques reproductibles (couplage entre couches ferromagnétiques séparées par une couche organique) et enfin pour comprendre les phénomènes de transport dépendant du spin Pour être en mesure de réaliser ces structures artificielles hybrides, le Groupe DMONS de l’IPCMS a fait le projet et mis en service, sous la responsabilité d’Eric Beaurepaire, un ensemble de chambres de dépôt sous UHV capable de réaliser une séquence de couches minces :